IPB65R660CFDAATMA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

6 A

Rds On - 漏源電阻：

594 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

20 nC

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

62.5 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

CoolMOS CFDA

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

英飛凌/紅外

秋季時間：

10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

40 ns

典型的開啟延遲時間：

9 ns

第 # 部分別名：

IPB65R660CFDA IPB65R66CFDAXT SP000875794

單位重量：

0.068654 oz

Tags

IPB65R660CFDA, IPB65R66, IPB65R6, IPB65, IPB6, IPB