NTP8G202NG

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

氮化鎵

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

9 A

Rds On - 漏源電阻：

350 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.6 V

Vgs - 柵源電壓：

18 V

Qg - 門電荷：

6.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

65 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.5 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

9.7 ns

典型的開啟延遲時間：

6.2 ns

單位重量：

0.211644 oz

Tags

NTP8, NTP