APT75GP120J

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

IGBT 模塊

RoHS：

Y

產品：

IGBT 矽模塊

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1.2 kV

集電極-發射極飽和電壓：

3.3 V

25 C 時的連續集電極電流：

128 A

柵極-發射極漏電流：

100 nA

Pd - 功耗：

543 W

包裝/案例：

SOT-227-4

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

管子

高度：

9.6 mm

長度：

38.2 mm

工作溫度範圍：

- 55 C to + 150 C

寬度：

25.4 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

安裝方式：

底盤安裝

最大柵極發射極電壓：

20 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

1

子類別：

IGBT

商品名：

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

單位重量：

1.058219 oz

Tags

APT75GP120J, APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT