MRF6S19100HR3

產品屬性

屬性值

製造商：

恩智浦

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Vds - 漏源擊穿電壓：

68 V

獲得：

16.1 dB

輸出功率：

22 W

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

NI-780-3

打包：

捲軸

配置：

單身的

高度：

4.32 mm

長度：

34.16 mm

工作頻率：

1.93 GHz to 1.99 GHz

系列：

MRF6S19100H

類型：

射頻功率MOSFET

寬度：

9.91 mm

品牌：

恩智浦/飛思卡爾

頻道模式：

增強

Pd - 功耗：

398 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

- 0.5 V, 12 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

單位重量：

0.226635 oz

Tags

MRF6S19100HR, MRF6S19100H, MRF6S1910, MRF6S191, MRF6S19, MRF6S1, MRF6S, MRF6, MRF