RV2C010UNT2L

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-1006-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

1 A

Rds On - 漏源電阻：

470 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

300 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

400 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

RV2C010UN

晶體管類型：

1 N-Channel Power MOSFET

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

15 ns

出廠包裝數量：

8000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

15 ns

典型的開啟延遲時間：

5 ns

第 # 部分別名：

RV2C010UN

Tags

RV2C010, RV2C01, RV2C0, RV2C, RV2