NDPL180N10BG

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

180 A

Rds On - 漏源電阻：

3.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

95 nC

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

200 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

150 S

秋季時間：

130 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

320 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

185 ns

典型的開啟延遲時間：

95 ns

單位重量：

0.211644 oz

Tags

NDPL, NDP