SBC857BDW1T1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-363-6

晶體管極性：

PNP

配置：

雙重的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

- 45 V

集電極-基極電壓 VCBO：

- 50 V

發射極基極電壓 VEBO：

- 5 V

集電極-發射極飽和電壓：

- 0.65 V

最大直流集電極電流：

- 100 mA

增益帶寬積 fT：

100 MHz

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

BC857BDW1

直流電流增益 hFE 最大值：

475 at - 2 mA, - 5 V

打包：

捲軸

品牌：

安森美半導體

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

220 at - 2 mA, - 5 V

Pd - 功耗：

380 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

資質：

AEC-Q101

出廠包裝數量：

3000

子類別：

晶體管

單位重量：

0.000265 oz

Tags

SBC857B, SBC857, SBC85, SBC8, SBC