IRF6662TR1PBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DirectFET-MZ

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

8.3 A

Rds On - 漏源電阻：

17.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.9 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

22 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

89 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

高度：

0.7 mm

長度：

6.35 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5.05 mm

品牌：

英飛凌/紅外

正向跨導 - 最小值：

11 S

秋季時間：

5.9 ns

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

7.5 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

SP001559718

單位重量：

0.035274 oz

Tags

IRF6662, IRF666, IRF66, IRF6, IRF