RM100N60T2

產品屬性

屬性值

製造商：

矩形

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

100 A

Rds On - 漏源電阻：

6.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

85 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

170 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

矩形

正向跨導 - 最小值：

50 S

秋季時間：

13.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10.8 ns

出廠包裝數量：

800

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

55 ns

典型的開啟延遲時間：

16.8 ns

Tags

RM100, RM10, RM1