IXTA1R4N120P

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

1.2 kV

Id - 連續漏極電流：

1.4 A

Rds On - 漏源電阻：

10.5 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

24.8 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

86 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

極性

打包：

管子

高度：

4.83 mm

長度：

9.65 mm

系列：

IXTA1R4N120

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

極性功率MOSFET

寬度：

10.41 mm

品牌：

IXYS

正向跨導 - 最小值：

0.8 S

秋季時間：

29 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

27 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

78 ns

典型的開啟延遲時間：

25 ns

單位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTA1R4N12, IXTA1R4, IXTA1R, IXTA1, IXTA, IXT