DMN61D9UWQ-7

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

340 mA

Rds On - 漏源電阻：

1.2 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

500 mV

Vgs - 柵源電壓：

5 V

Qg - 門電荷：

400 pC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

440 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

二極管公司

正向跨導 - 最小值：

200 mS

秋季時間：

8.4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

1.8 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

14.4 ns

典型的開啟延遲時間：

2.1 ns

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