APT85GR120B2

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

IGBT 模塊

RoHS：

Y

產品：

IGBT 矽模塊

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1.2 kV

集電極-發射極飽和電壓：

3.5 V

25 C 時的連續集電極電流：

170 A

柵極-發射極漏電流：

250 nA

Pd - 功耗：

962 W

包裝/案例：

TO-247-3

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

管子

品牌：

微芯片/Microsemi

安裝方式：

通孔

最大柵極發射極電壓：

30 V

產品類別：

IGBT 模塊

出廠包裝數量：

1

子類別：

IGBT

單位重量：

0.211644 oz

Tags

APT85G, APT85, APT8, APT