A2T08VD021NT1

產品屬性

屬性值

製造商：

恩智浦

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

雙 N 通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

80 mA

Vds - 漏源擊穿電壓：

- 500 mV, 105 V

獲得：

19.1 dB

輸出功率：

2 W

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

PQFN-24

打包：

捲軸

工作頻率：

728 MHz to 960 MHz

類型：

射頻功率MOSFET

品牌：

恩智浦半導體

通道數：

2 Channel

濕氣敏感：

是的

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.3 V

第 # 部分別名：

935361777528

Tags

A2T0, A2T