STW30NM60N

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

25 A

Rds On - 漏源電阻：

130 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

190 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

20.15 mm

長度：

15.75 mm

系列：

STB30NM60N

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5.15 mm

品牌：

意法半導體

秋季時間：

70 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

24 ns

出廠包裝數量：

1

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

125 ns

典型的開啟延遲時間：

20 ns

單位重量：

1.340411 oz

Tags

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