US6M2GTR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TUMT-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V, 20 V

Id - 連續漏極電流：

1.5 A, 1 A

Rds On - 漏源電阻：

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.5 V, 2 V

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

1.6 nC, 2.1 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

6 ns, 10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

9 ns, 8 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

15 ns, 25 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6