FDD6637-F085

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

35 V

Id - 連續漏極電流：

55 A

Rds On - 漏源電阻：

11.6 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

25 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.1 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

商品名：

動力戰壕

高度：

2.39 mm

長度：

6.73 mm

系列：

FDD6637_F085

晶體管類型：

1 P-Channel

類型：

功率溝槽 MOSFET

寬度：

6.22 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

正向跨導 - 最小值：

35 S

秋季時間：

36 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

62 ns

典型的開啟延遲時間：

18 ns

第 # 部分別名：

FDD6637_F085

單位重量：

0.009184 oz

Tags

FDD6637, FDD663, FDD66, FDD6, FDD