3LN01M-TL-E

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-323-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

150 mA

Rds On - 漏源電阻：

2.9 Ohms

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

1.58 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

單身的

打包：

捲軸

系列：

3LN01M

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

120 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

65 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

155 ns

典型的開啟延遲時間：

19 ns

單位重量：

0.000176 oz

Tags

3LN01M-TL, 3LN01M-T, 3LN01M, 3LN01, 3LN0, 3LN