D1213UK

產品屬性

屬性值

製造商：

TT電子

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

20 A

Vds - 漏源擊穿電壓：

40 V

獲得：

10 dB

輸出功率：

6 W

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DBC1-8

配置：

單身的

高度：

3.25 mm

長度：

6.47 mm

工作頻率：

500 MHz

類型：

射頻功率MOSFET

寬度：

8.43 mm

品牌：

Semelab / TT Electronics

Pd - 功耗：

58 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

0.5 V to 7 V

Tags

D1213, D121, D12