2N7000TA

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-92-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

200 mA

Rds On - 漏源電阻：

1.2 Ohms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

400 mW

配置：

單身的

打包：

彈藥包

高度：

5.33 mm

長度：

5.2 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

2N7000

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

4.19 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

0.1 S

秋季時間：

10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10 ns

出廠包裝數量：

2000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

10 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

單位重量：

0.007090 oz

Tags

2N7000T, 2N7000, 2N700, 2N70, 2N7