STB23NM60ND

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

D2PAK-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

19.5 A

Rds On - 漏源電阻：

180 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

69 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

4.6 mm

長度：

10.4 mm

系列：

STB23NM60ND

晶體管類型：

1 N-Channel Power MOSFET

寬度：

9.35 mm

品牌：

意法半導體

秋季時間：

42 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

19 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

92 ns

典型的開啟延遲時間：

21 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

STB23NM, STB23N, STB23, STB2, STB