FDMB2308PZ

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

MicroFET-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

7 A

Rds On - 漏源電阻：

36 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

900 mV

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Qg - 門電荷：

22 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.2 W

配置：

雙重的

商品名：

動力戰壕

打包：

捲軸

高度：

0.75 mm

長度：

3 mm

系列：

FDMB2308PZ

晶體管類型：

2 P-Channel

寬度：

2 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

正向跨導 - 最小值：

29 S

秋季時間：

58 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

33 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

74 ns

典型的開啟延遲時間：

14 ns

單位重量：

0.000423 oz

Tags

FDMB2, FDMB, FDM