NCV84160DR2G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOIC-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

41 V

Id - 連續漏極電流：

3.5 mA

Rds On - 漏源電阻：

160 mOhms

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.49 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

品牌：

安森美半導體

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

10 us

典型的開啟延遲時間：

10 us

Tags

NCV841, NCV84, NCV8, NCV