STB24N60DM2

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-3

通道數：

1 Channel

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

18 A

Rds On - 漏源電阻：

200 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

25 V

Qg - 門電荷：

29 nC

Pd - 功耗：

150 W

配置：

單身的

商品名：

網格

打包：

捲軸

系列：

STB24N60DM2

品牌：

意法半導體

秋季時間：

15 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8.7 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

60 ns

典型的開啟延遲時間：

15 ns

單位重量：

0.139332 oz

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