SI4532DY

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SO-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

3.9 A

Rds On - 漏源電阻：

53 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.75 mm

長度：

4.9 mm

系列：

SI4532DY

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

3.9 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

正向跨導 - 最小值：

7 S, 5 S

秋季時間：

0.8 ns, 6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

18 ns, 8 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

15 ns, 18 ns

典型的開啟延遲時間：

7 ns, 9 ns

第 # 部分別名：

SI4532DY_NL

單位重量：

0.008127 oz

Tags

SI4532D, SI4532, SI453, SI45, SI4