TPN1110ENH,L1Q

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSON-Advance-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

200 V

Id - 連續漏極電流：

13 A

Rds On - 漏源電阻：

96 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

39 W

配置：

三倍

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.85 mm

長度：

3.1 mm

系列：

TPN1110ENH

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

3.1 mm

品牌：

東芝

秋季時間：

4.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5.2 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

19 ns

典型的開啟延遲時間：

14 ns

Tags

TPN111, TPN11, TPN1, TPN