STS9P2UH7

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOIC-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

9 A

Rds On - 漏源電阻：

22.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

400 mV

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

22 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.7 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

系列：

STS9P2UH7

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

意法半導體

秋季時間：

84.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

30.5 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

128 ns

典型的開啟延遲時間：

12.5 ns

單位重量：

0.017870 oz

Tags

STS9, STS