SIHU6N62E-GE3

產品屬性

屬性值

製造商：

威世

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-251-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

620 V

Id - 連續漏極電流：

6 A

Rds On - 漏源電阻：

900 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

17 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

78 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

6.22 mm

長度：

6.73 mm

系列：

E

寬度：

2.39 mm

品牌：

威世 / Siliconix

秋季時間：

16 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10 ns

出廠包裝數量：

75

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

22 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns

單位重量：

0.011640 oz

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