NTLTD7900ZR2G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

Micro-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

6 A

Rds On - 漏源電阻：

31 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

12 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.9 mm

長度：

3.3 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

2 N-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

3.3 mm

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

1.17 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

1.17 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

1.87 ns

典型的開啟延遲時間：

0.55 ns

Tags

NTLTD7900ZR2, NTLTD7900ZR, NTLTD7900Z, NTLTD, NTLT, NTL