RP1E100XNTR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220FP-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

10 A

Rds On - 漏源電阻：

9.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

11 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

15 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

45 ns

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

50 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

第 # 部分別名：

RP1E100XN

Tags

RP1E100, RP1E10, RP1E1, RP1E, RP1