NCV8402AMNWT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

DFN-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

42 V

Id - 連續漏極電流：

2 A

Rds On - 漏源電阻：

165 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.3 V

Vgs - 柵源電壓：

14 V

Qg - 門電荷：

-

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

8.9 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

系列：

NCV8402A

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

50 us

產品類別：

MOSFET

上升時間：

120 us

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

20 us

典型的開啟延遲時間：

25 us

Tags

NCV8402A, NCV8402, NCV840, NCV84, NCV8, NCV