ATF-331M4-TR2

產品屬性

屬性值

製造商：

博通有限公司

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管類型：

pHEMT

技術：

砷化鎵

獲得：

15 dB

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

5.5 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

- 5 V

Id - 連續漏極電流：

305 mA

最大漏柵電壓：

- 5 V

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 160 C

Pd - 功耗：

400 mW

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

迷你PAK

打包：

捲軸

配置：

單雙源

高度：

0.7 mm

長度：

1.44 mm

工作頻率：

2 GHz

產品：

射頻結型場效應管

類型：

GaAs pHEMT

寬度：

1.2 mm

品牌：

博通/安華高

正向跨導 - 最小值：

440 mmho

NF - 噪聲係數：

0.6 dB

P1dB - 壓縮點：

19 dBm

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

出廠包裝數量：

10000

子類別：

晶體管

Tags

ATF-331M4-T, ATF-331M, ATF-33, ATF-3, ATF