PSMN7R8-120ESQ

產品屬性

屬性值

製造商：

Nexperia

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-262-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

120 V

Id - 連續漏極電流：

70 A

Rds On - 漏源電阻：

6.72 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

167 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

349 W

配置：

單身的

打包：

管子

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

Nexperia

秋季時間：

60.8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

55.3 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

151.8 ns

典型的開啟延遲時間：

45.5 ns

單位重量：

0.084199 oz

Tags

PSMN7R8-12, PSMN7R8, PSMN7, PSMN, PSM