APT75GN120LG

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

Y

技術：

矽

包裝/案例：

TO-264-3

安裝方式：

通孔

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

1.2 kV

集電極-發射極飽和電壓：

1.7 V

最大柵極發射極電壓：

30 V

25 C 時的連續集電極電流：

200 A

Pd - 功耗：

833 W

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

打包：

管子

連續集電極電流 Ic 最大值：

200 A

高度：

5.21 mm

長度：

26.49 mm

工作溫度範圍：

- 55 C to + 150 C

寬度：

20.5 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

連續集電極電流：

200 A

柵極-發射極漏電流：

600 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

1

子類別：

IGBT

單位重量：

0.373904 oz

Tags

APT75GN1, APT75GN, APT75G, APT75, APT7, APT