STD12N65M5

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

8.5 A

Rds On - 漏源電阻：

430 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Qg - 門電荷：

22 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

70 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

系列：

STD12N65M5

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

功率MOSFET

品牌：

意法半導體

秋季時間：

24 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

9.5 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.139332 oz

Tags

STD12N65, STD12N6, STD12N, STD12, STD1, STD