NTHC5513T1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

ChipFET-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

3.9 A

Rds On - 漏源電阻：

80 mOhms, 155 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

12 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.1 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.05 mm

長度：

3.05 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

NTHC5513

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

1.65 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

6 S

秋季時間：

3 ns, 27 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

9 ns, 13 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

10 ns, 33 ns

典型的開啟延遲時間：

5 ns, 7 ns

單位重量：

0.002998 oz

Tags

NTHC5513T1G, NTHC5513T, NTHC551, NTHC5, NTHC, NTH