NE3509M04-A

產品屬性

屬性值

製造商：

電燈

產品分類：

射頻 JFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管類型：

高頻場效應管

技術：

砷化鎵

獲得：

17.5 dB

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

4 V

Vgs - 柵源擊穿電壓：

- 3 V

Id - 連續漏極電流：

60 mA

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

FTSMM-4 (M04)

工作頻率：

2 GHz

產品：

射頻結型場效應管

類型：

GaAs HFET

品牌：

電燈

正向跨導 - 最小值：

80 mS

柵源截止電壓：

- 0.5 V

NF - 噪聲係數：

0.4 dB

P1dB - 壓縮點：

11 dBm

產品類別：

射頻 JFET 晶體管

出廠包裝數量：

1

子類別：

晶體管

Tags

NE3509, NE350, NE35, NE3