A2T18S261W12NR3

產品屬性

屬性值

製造商：

恩智浦

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Id - 連續漏極電流：

3 A

Vds - 漏源擊穿電壓：

- 500 mV, 65 V

獲得：

18.2 dB

輸出功率：

56 W

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 125 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

OM-880X-2L2L

打包：

捲軸

工作頻率：

1805 MHz to 1880 MHz

類型：

射頻功率MOSFET

品牌：

恩智浦/飛思卡爾

通道數：

1 Channel

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.4 V

第 # 部分別名：

935338749528

單位重量：

0.133886 oz

Tags

A2T18S2, A2T18S, A2T18, A2T1, A2T