VND7NV04-E

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Id - 連續漏極電流：

6 A

Rds On - 漏源電阻：

60 mOhms

Qg - 門電荷：

18 nC

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

管子

系列：

VND7NV04

晶體管類型：

1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET

品牌：

意法半導體

正向跨導 - 最小值：

9 S

秋季時間：

350 ns, 3.6 us

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

上升時間：

470 ns, 4.6 us

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

500 ns, 5.4 us

典型的開啟延遲時間：

100 ns, 0.75 us

單位重量：

0.139332 oz

Tags

VND7NV0, VND7NV, VND7N, VND7, VND