FDMA507PZ

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

MicroFET-6

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

7.8 A

Rds On - 漏源電阻：

45 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.5 V

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

30 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.4 W

配置：

單身的

商品名：

動力戰壕

打包：

捲軸

高度：

0.75 mm

長度：

2 mm

系列：

FDMA507PZ

晶體管類型：

1 P-Channel

類型：

單 P 溝道功率溝道 MOSFET

寬度：

2 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

正向跨導 - 最小值：

33 S

秋季時間：

96 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

14 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

192 ns

典型的開啟延遲時間：

6.4 ns

單位重量：

0.001058 oz

Tags

FDMA5, FDMA, FDM