DMN3016LDN-7

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

V-DFN3030-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

7.3 A

Rds On - 漏源電阻：

24 mOhms, 24 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.4 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

25.1 nC, 25.1 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.6 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.8 mm

長度：

3 mm

產品：

增強型 MOSFET

系列：

DMN3016

晶體管類型：

2 N-Channel

類型：

增強型 MOSFET

寬度：

3 mm

品牌：

二極管公司

正向跨導 - 最小值：

-

秋季時間：

5.6 ns, 5.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

16.5 ns, 16.5 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

26.1 ns, 26.1 ns

典型的開啟延遲時間：

4.8 ns, 4.8 ns

Tags

DMN3016LDN, DMN3016LD, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN