BSS308PEH6327XT

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

2 A

Rds On - 漏源電阻：

62 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

- 5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

2.9 mm

系列：

BSS308

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

1.3 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

4.6 S

秋季時間：

2.8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

7.7 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

15.3 ns

典型的開啟延遲時間：

5.6 ns

第 # 部分別名：

BSS308PEH6327XTSA1 SP000928942

單位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS308PEH6327X, BSS308PEH, BSS308, BSS30, BSS3, BSS