DMN63D8LDWQ-7

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-363-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

220 mA

Rds On - 漏源電阻：

2.8 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

870 pC, 870 pC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

系列：

DMN63

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

二極管公司

正向跨導 - 最小值：

80 mS, 80 mS

秋季時間：

6.3 ns, 6.3 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

3.2 ns, 3.2 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

12 ns, 12 ns

典型的開啟延遲時間：

3.3 ns, 3.3 ns

單位重量：

0.000265 oz

Tags

DMN63D8LD, DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN