EFC6605R-TR

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

WLCSP-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

10 A

Rds On - 漏源電阻：

13.3 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.3 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

19.8 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.6 W

配置：

雙重的

打包：

捲軸

系列：

EFC6605R

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

60800 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

678 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

44400 ns

典型的開啟延遲時間：

154 ns

單位重量：

0.002328 oz

Tags

EFC6605, EFC660, EFC6, EFC