2N7002ET7G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

310 mA

Rds On - 漏源電阻：

2.5 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

0.81 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

420 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel MOSFET

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

530 mS

秋季時間：

3.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

1.2 ns

出廠包裝數量：

3500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

4.8 ns

典型的開啟延遲時間：

1.7 ns

Tags

2N7002ET, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7