STD12N60M2

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

9 A

Rds On - 漏源電阻：

395 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

-

Qg - 門電荷：

16 nC

最低工作溫度：

-

最高工作溫度：

-

Pd - 功耗：

85 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

網狀網

打包：

捲軸

高度：

2.4 mm

長度：

6.2 mm

產品：

功率MOSFET

系列：

STD12N60M2

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

MDmesh M2

寬度：

6.6 mm

品牌：

意法半導體

正向跨導 - 最小值：

-

秋季時間：

-

產品類別：

MOSFET

上升時間：

-

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

-

典型的開啟延遲時間：

-

單位重量：

0.139332 oz

Tags

STD12N60, STD12N6, STD12N, STD12, STD1, STD