DMT10H009LH3

產品屬性

屬性值

製造商：

二極管公司

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-251-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

84 A

Rds On - 漏源電阻：

9 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.3 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

20.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

96 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

二極管公司

秋季時間：

14.9 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

10.6 ns

出廠包裝數量：

75

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

28.3 ns

典型的開啟延遲時間：

5.4 ns

Tags

DMT10H009L, DMT10H00, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT