2SJ652-1E

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

28 A

Rds On - 漏源電阻：

28.5 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

80 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

30 W

配置：

單身的

打包：

管子

系列：

2SJ652

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半導體

秋季時間：

180 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

210 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

310 ns

典型的開啟延遲時間：

33 ns

單位重量：

0.211644 oz

Tags

2SJ652, 2SJ65, 2SJ6, 2SJ