RS1G120MNTB

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

HSOP-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

40 V

Id - 連續漏極電流：

12 A

Rds On - 漏源電阻：

20.7 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

9.4 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

25 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

5.8 mm

產品：

MOSFET

晶體管類型：

1 N-channel

類型：

功率MOSFET

寬度：

5 mm

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

4 S

秋季時間：

3.2 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.3 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

23.8 ns

典型的開啟延遲時間：

9.7 ns

第 # 部分別名：

RS1G120MN

單位重量：

0.002490 oz

Tags

RS1G120M, RS1G12, RS1G1, RS1G, RS1