2N5629

產品屬性

屬性值

製造商：

中央半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

T

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-3-2

晶體管極性：

NPN

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

100 V

集電極-基極電壓 VCBO：

100 V

發射極基極電壓 VEBO：

7 V

集電極-發射極飽和電壓：

2 V

最大直流集電極電流：

16 A

增益帶寬積 fT：

1 MHz

最低工作溫度：

- 60 C

最高工作溫度：

+ 200 C

系列：

2N5629

打包：

管子

品牌：

中央半導體

連續集電極電流：

0.45 A

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

4 at 16 A, 2 V

Pd - 功耗：

200 W

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

20

子類別：

晶體管

第 # 部分別名：

2N5629 TIN/LEAD

單位重量：

0.225789 oz

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5