KSD261CGBU

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

雙極晶體管 - BJT

RoHS：

Y

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-92-3

晶體管極性：

NPN

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

20 V

集電極-基極電壓 VCBO：

40 V

發射極基極電壓 VEBO：

5 V

集電極-發射極飽和電壓：

0.18 V

最大直流集電極電流：

0.5 A

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

直流電流增益 hFE 最大值：

400

高度：

4.58 mm

長度：

4.58 mm

打包：

大部分

寬度：

3.86 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

DC 集電極/基極增益 hfe 最小值：

120

Pd - 功耗：

500 mW

產品類別：

BJT - 雙極晶體管

出廠包裝數量：

1000

子類別：

晶體管

單位重量：

0.008466 oz

Tags

KSD261CG, KSD261C, KSD261, KSD26, KSD2, KSD